參數(shù)資料
型號: DS2-12A
廠商: IXYS CORP
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: Rectifier Diode Avalanche Diode
中文描述: 3.6 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
文件頁數(shù): 2/2頁
文件大?。?/td> 35K
代理商: DS2-12A
2000 IXYS All rights reserved
2 - 2
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
t
10
1
0
20
40
60
80
100
A
2
3
4
5 6 7 8 9
t
1
10
20
40
60
80
10
100
A
2
s
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0
2
4
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8
10
20
40
60
80
100 120 140 160
T
amb
0
2
4
6
8
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0
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-3
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-2
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-1
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3
t
10
4
0
20
40
60
80
100
I
2
t
I
FSM
I
F
A
V
F
V
s
ms
P
F
W
P
F
W
I
FAVM
A
°
C
s
Z
(th)t
°
C/W
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
0
2
4
6
8
10
DS
DSA 2
2
R
thJA
for various conduction angles d:
d
R
thJA
(K/W)
75
75.7
76.1
76.7
77.4
DC
180
120
60
30
Constants for Z
thJA
calculation:
i
R
thi
(K/W)
0.15
10.85
64
t
i
(s)
0.001
0.1
35
1
2
3
Fig. 1 Forward characteristics
Fig. 4 Power dissipation versus forward current and ambient temperature
Fig. 5 Transient thermal impedance junction to ambient
Fig. 2 Surge overload current
I
FSM
: crest value, t: duration
Fig. 3 I
2
t
versus time (1-10 ms)
T
VJ
= 180
°
C
T
VJ
= 25
°
C
50Hz, 80%V
RRM
T
VJ
= 45
°
C
T
VJ
= 180
°
C
V
R
= 0 V
T
VJ
=45
°
C
T
VJ
=180
°
C
typ. lim.
R
thJA
:
30 K/W
37 K/W
45 K/W
75 K/W
115 K/W
DC
180
°
sin
120
°
60
°
30
°
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