(TA = +25°C) PARAMETER SYMB" />
參數(shù)資料
型號(hào)： DS1689S+
廠商： Maxim Integrated Products
文件頁(yè)數(shù)： 22/36頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： IC RTC SER W/NV RAM CTRL 28-SOIC
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 26
類(lèi)型： 時(shí)鐘/日歷
特點(diǎn)： NVSRAM
存儲(chǔ)容量： 114B
時(shí)間格式： HH:MM:SS（12/24 小時(shí)）
數(shù)據(jù)格式： YY-MM-DD-dd
接口： 并聯(lián)
電源電壓： 2.7 V ~ 3.3 V，4.5 V ~ 5.5 V
電壓 - 電源，電池： 2.5 V ~ 3.7 V
工作溫度： 0°C ~ 70°C
安裝類(lèi)型： 表面貼裝
封裝/外殼： 28-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 28-SOIC
包裝： 管件
DS1689/DS1693
29 of 36
POWER-UP/POWER-DOWN TIMING—5V
(TA = +25°C)
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
UNITS NOTES
CS High to Power-Fail
tPF
0
ns
Recovery at Power-Up
tREC
150
ms
VCC Slew Rate Power-Down
tF
4.0
≤ VCC ≤ 4.5V
300
s
VCC Slew Rate Power-Down
tFB
3.0
≤ VCC ≤ 4.0V
10
s
VCC Slew Rate Power-Up
tR
4.5V
≥ VCC ≥ 4.0V
0
s
Expected Data Retention
tDR
10
years
13, 14
POWER-UP/POWER-DOWN TIMING—3V
(TA = +25°C)
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
UNITS NOTES
CS High to Power-Fail
tPF
0
ns
Recovery at Power-Up
tREC
150
ms
VCC Slew Rate Power-Down
tF
2.5
≤ VCC ≤ 3.0V
300
s
VCC Slew Rate Power-Up
tR
3.0V
≥ VCC ≥ 2.5V
0
s
Expected Data Retention
tDR
10
years
13, 14
WARNING: Under no circumstances are negative undershoots, of any amplitude,
allowed when device is in battery-backup mode.
CAPACITANCE
(TA = +25°C)
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
UNITS NOTES
Input Capacitance
CIN
12
pF
Output Capacitance
COUT
12
pF
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