參數(shù)資料
型號： DS1350Y-70
元件分類： DRAM
英文描述： 4096k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor
中文描述： 4096k非易失SRAM與電池監(jiān)視器
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大?。?/td> 228K
代理商： DS1350Y-70
DS1350Y/AB
6 of 12
WRITE CYCLE 1
SEE NOTES 2, 3, 4, 6, 7, 8, and 12
WRITE CYCLE 2
SEE NOTES 2, 3, 4, 6, 7, 8, and 13
相關PDF資料
PDF描述
DS1350YP-70-IND Isolation Transformer Receive
DS1350AB-70 4096k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor
DS1350Y 4096k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor
DS1350BL-100-IND NVRAM (Battery Based)
DS1350BL-70 NVRAM (Battery Based)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
DS1350YL-100 功能描述:IC NVSRAM 4MBIT 100NS 34LPM RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應商設備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF)
DS1350YL-100-IND 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NVRAM (Battery Based)
DS1350YL-70 功能描述:IC NVSRAM 4MBIT 70NS 34LPM RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應商設備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF)
DS1350YL-70IND 功能描述:IC NVSRAM 4MBIT 70NS 34LPM RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應商設備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF)
DS1350YL-70-IND 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NVRAM (Battery Based)
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*