參數(shù)資料
型號： DS1330ABP-70-IND
英文描述： 256k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor
中文描述： 256k非易失SRAM與電池監(jiān)視器
文件頁數(shù)： 4/11頁
文件大?。?/td> 191K
代理商： DS1330ABP-70-IND
DS1330Y/AB
4 of 11
CAPACITANCE
(
t
A
= 25 C)
PARAMETER
SYMBOL
Input Capacitance
C
IN
Input/Output Capacitance
C
I/O
MIN
TYP
5
5
MAX
10
10
UNITS
pF
pF
NOTES
AC ELECTRICAL
(V
CC
= 5V 5% for DS1330AB)
CHARACTERISTICS
(t
A
: See Note 10) (V
CC
= 5V 10% for DS1330Y)
DS1330AB-70
DS1330Y-70
PARAMETER
SYMBOL
MIN
Read Cycle Time
t
RC
70
Access Time
t
ACC
t
OE
t
CO
t
COE
5
Output High Z from Deselection
t
OD
Output Hold from Address
Change
Write Cycle Time
t
WC
70
Write Pulse Width
t
WP
55
Address Setup Time
t
AW
0
Write Recovery Time
t
WR1
t
WR2
12
Output High Z from
WE
t
ODW
t
OEW
5
Data Setup Time
t
DS
30
Data Hold Time
t
DH1
t
DH2
7
DS1330AB-100
DS1330Y-100
MIN
100
MAX
MAX
UNITS
ns
ns
ns
NOTES
70
45
100
50
OE
to Output Valid
CE
to Output Valid
70
100
ns
OE
or
CE
to Output Active
5
ns
5
25
35
ns
ns
5
t
OH
5
5
100
75
0
5
12
ns
ns
ns
ns
3
5
12
13
5
25
35
ns
Output Active from
WE
5
ns
5
40
0
7
ns
ns
4
12
13
0
READ CYCLE
SEE NOTE 1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
DS1330Y 256k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor
DS1330YP-100 256k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor
DS1330YP-70 256k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor
DS1330YP-70-IND 256k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor
DS1330BL-70-IND NVRAM (Battery Based)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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DS1330BL-100 功能描述:IC NVSRAM 256KBIT 100NS 34LPM RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF)
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DS1330BL-70IND 功能描述:IC NVSRAM 256KBIT 70NS 34LPM RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF)
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