(VCC < 4." />
參數(shù)資料
型號(hào)： DS1315N-5+
廠商： Maxim Integrated Products
文件頁(yè)數(shù)： 2/21頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： IC T-CHIP PHANTOM 5V 16-DIP
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： Lead (SnPb) Finish for COTS
Obsolescence Mitigation Program
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 25
類型： Phantom 計(jì)時(shí)芯片
特點(diǎn)： 閏年
時(shí)間格式： HH:MM:SS:hh（12/24 小時(shí)）
數(shù)據(jù)格式： YY-MM-DD-dd
接口： 并聯(lián)
電源電壓： 4.5 V ~ 5.5 V
電壓 - 電源，電池： 2.5 V ~ 3.7 V
工作溫度： -40°C ~ 85°C
安裝類型： 通孔
封裝/外殼： 16-DIP（0.300"，7.62mm）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 16-PDIP
包裝： 管件
產(chǎn)品目錄頁(yè)面： 1433 (CN2011-ZH PDF)
DS1315 Phantom Time Chip
10 of 21
DC POWER-DOWN ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(VCC < 4.5V, TA = Over the operating range.)
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
UNITS
NOTES
CEO
Output Voltage
VCEO
VCCI - 0.2
or
VBAT1,2 -
0.2
V
8
VBAT1 or VBAT2 Battery
Current
IBAT
0.5
A
6
Battery Backup Current
@ VCCO = VBAT-0.2V
ICCO2
10
A
9
AC ELECTRICAL OPERATING CHARACTERISTICS—ROM/RAM = GND
(VCC = 5.0V ±10%, TA = Over the operating range.)
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
UNITS
NOTES
Read Cycle Time
tRC
65
ns
CEI
Access Time
tCO
55
ns
OE
Access Time
tOE
55
ns
CEI
to Output Low-Z
tCOE
5
ns
OE
to Output Low-Z
tOEE
5
ns
CEI
to Output High-Z
tOD
25
ns
OE
to Output High-Z
tODO
25
ns
Read Recovery
tRR
10
ns
Write Cycle
tWC
65
ns
Write Pulse Width
tWP
55
ns
Write Recovery
tWR
10
ns
4
Data Setup
tDS
30
ns
5
Data Hold Time
tDH
0
ns
5
CEI
Pulse Width
tCW
55
ns
OE
Pulse Width
tOW
55
ns
RST
Pulse Width
tRST
65
ns
AC ELECTRICAL OPERATING CHARACTERISTICS—ROM/RAM = VCCO
(VCC = 5.0V ±10%, TA = Over the operating range.)
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
UNITS
NOTES
Read Cycle Time
tRC
65
ns
CEI
Access Time
tCO
55
ns
OE
Access Time
tOE
55
ns
CEI
to Output Low Z
tCOE
5
ns
OE
to Output Low Z
tOEE
5
ns
CEI
to Output High Z
tOD
25
ns
OE
to Output High Z
tODO
25
ns
Address Setup Time
tAS
5
ns
Address Hold Time
tAH
5
ns
Read Recovery
tRR
10
ns
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PDF描述
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參數(shù)描述
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