參數(shù)資料
型號(hào)： DS12R885S-5+
廠商： Maxim Integrated Products
文件頁(yè)數(shù)： 17/23頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： IC RTC W/RAM 128 BYTE 24-SOIC
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： Lead (SnPb) Finish for COTS
Obsolescence Mitigation Program
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 31
類型： 時(shí)鐘/日歷
特點(diǎn)： 警報(bào)器，閏年，NVSRAM，方波輸出，涓流充電器
存儲(chǔ)容量： 114B
時(shí)間格式： HH:MM:SS（12/24 小時(shí)）
數(shù)據(jù)格式： YY-MM-DD-dd
接口： 并聯(lián)
電源電壓： 4.5 V ~ 5.5 V
電壓 - 電源，電池： 2 V ~ 3.05 V
工作溫度： -40°C ~ 85°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 24-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 24-SOIC W
包裝： 管件
DS12R885/DS12CR887/DS12R887
RTCs with Constant-Voltage Trickle Charger
3
Maxim Integrated
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (DS12R885 Only)
(VCC = 0V, VBACKUP = 3.2V, TA = -40°C to +85°C, unless otherwise noted.) (Note 1)
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
VBACKUP Current (OSC On);
TA = +25°C, VBACKUP = 3.0V
IBACKUP2
(Note 7)
800
1000
nA
VBACKUP Current (Oscillator Off)
IBACKUPDR (Note 7)
100
nA
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(VCC = 4.5V to 5.5V, TA = -40°C to +85°C.) (Note 1)
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
Cycle Time
tCYC
180
DC
ns
Pulse Width, DS Low or R/W
PWEL
80
ns
Pulse Width, DS High or R/W
PWEH
65
ns
Input Rise and Fall
tR, tF
30
ns
R/W Hold Time
tRWH
0
ns
R/W Setup Time Before DS/E
tRWS
10
ns
Chip-Select Setup Time Before
DS or R/W
tCS
5
ns
Chip-Select Hold Time
tCH
0
ns
Read-Data Hold Time
tDHR
5
35
ns
Write-Data Hold Time
tDHW
0
ns
Address Valid Time to AS Fall
tASL
20
ns
Address Hold Time to AS Fall
tAHL
5
ns
Delay Time DS/E to AS Rise
tASD
10
ns
Pulse Width AS High
PWASH
30
ns
Delay Time, AS to DS/E Rise
tASED
35
ns
Output Data Delay Time from DS
or R/W
tDDR
(Note 8)
15
60
ns
Data Setup Time
tDSW
50
ns
Reset Pulse Width
tRWL
5
μs
IRQ Release from DS
tIRDS
0
2
μs
IRQ Release from RESET
tIRR
0
2
μs
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