參數資料
型號： DS1250Y-100
廠商： DALLAS SEMICONDUCTOR
元件分類： Static RAM
英文描述： 512K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100 ns, DIP32
封裝： 0.740 INCH, EXTENDED MODULE, DIP-32
文件頁數： 1/11頁
文件大?。?/td> 217K
代理商： DS1250Y-100
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FEATURES
10 years minimum data retention in the
absence of external power
Data is automatically protected during power
loss
Replaces 512k x 8 volatile static RAM,
EEPROM or Flash memory
Unlimited write cycles
Low-power CMOS
Read and write access times as fast as 70 ns
Lithium energy source is electrically
disconnected to retain freshness until power is
applied for the first time
Full
±10% V
CC operating range (DS1250Y)
Optional
±5% V
CC operating range
(DS1250AB)
Optional industrial temperature range of
-40
°C to +85°C, designated IND
JEDEC standard 32-pin DIP package
New PowerCap Module (PCM) package
-
Directly surface-mountable module
-
Replaceable snap-on PowerCap provides
lithium backup battery
-
Standardized pinout for all nonvolatile
SRAM products
-
Detachment feature on PCM allows easy
removal using a regular screwdriver
PIN ASSIGNMENT
PIN DESCRIPTION
A0 - A18
- Address Inputs
DQ0 - DQ7
- Data In/Data Out
CE
- Chip Enable
WE
- Write Enable
OE
- Output Enable
VCC
- Power (+5V)
GND
- Ground
NC
- No Connect
DS1250Y/AB
4096k Nonvolatile SRAM
www.dalsemi.com
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32-Pin ENCAPSULATED PACKAGE
740-mil EXTENDED
A14
A7
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ1
DQ0
VCC
A15
A17
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
DQ5
DQ6
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A16
A12
A6
A18
DQ2
GND
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DQ4
DQ3
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NC
2
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A15
A16
NC
VCC
WE
OE
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
GND
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A17
A14
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A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
34
A18
GND
VBAT
34-Pin POWERCAP MODULE (PCM)
(USES DS9034PC POWERCAP)
相關PDF資料
PDF描述
DS1250W-150 512K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150 ns, DMA32
DS1250WP-150 512K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150 ns, DMA34
DS1250Y-70 512K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, DMA32
DS1250YP-100 512K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100 ns, DMA34
DS1250YP-70 512K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, DMA34
相關代理商/技術參數
參數描述
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DS1250Y-100IND 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數據總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1250Y-100-IND 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NVRAM (Battery Based)
DS1250Y-100IND+ 功能描述:NVRAM 4096K NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數據總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1250Y-70 功能描述:NVRAM 4096K NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數據總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
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