參數(shù)資料
型號(hào): DS1230W-150
廠商: DALLAS SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi): Static RAM
英文描述: 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150 ns, DIP28
封裝: 0.740 INCH, EXTENDED MODULE, DIP-28
文件頁(yè)數(shù): 3/11頁(yè)
文件大?。?/td> 217K
代理商: DS1230W-150
DS1230W
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RECOMMENDED POWERCAP MODULE LAND PATTERN
INCHES
PKG
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NOM
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A
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0.112
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RECOMMENDED POWERCAP MODULE SOLDER STENCIL
INCHES
PKG
DIM
MIN
NOM
MAX
A
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1.050
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B
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0.890
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C
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0.080
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
DS1230WP-150 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150 ns, DMA34
DS1230YL-70 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, DMA34
DS1243Y-120 0 TIMER(S), REAL TIME CLOCK, PDIP28
DS1243Y-150 0 TIMER(S), REAL TIME CLOCK, PDIP28
DS1243Y 0 TIMER(S), REAL TIME CLOCK, PDIP28
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
DS1230W-150+ 功能描述:NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類(lèi)型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1230W-150-IND 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:NVRAM (Battery Based)
DS1230WP-100 功能描述:NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類(lèi)型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1230WP-100+ 功能描述:NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類(lèi)型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1230WP-100IND 功能描述:NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類(lèi)型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube