參數(shù)資料
型號(hào)： DS1230W-100
元件分類： DRAM
英文描述： 3.3V 256k Nonvolatile SRAM
中文描述： 3.3 256k非易失SRAM
文件頁數(shù)： 4/11頁
文件大?。?/td> 233K
代理商： DS1230W-100
DS1230W
4 of 11
CAPACITANCE
(t
A
=25
°
C)
PARAMETER
SYMBOL
Input Capacitance
C
IN
Input/Output Capacitance
C
I/O
MIN
TYP
5
5
MAX
10
10
UNITS
pF
pF
NOTES
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(t
A
: See Note 10) (V
CC
=3.3V
±
=
3.0V)
DS1230W-150
MIN
150
PARAMETER
Read Cycle Time
Access Time
OE to Output Valid
CE to Output Valid
OE or CE to Output Active
Output High Z from Deselection
Output Hold from Address Change
Write Cycle Time
Write Pulse Width
Address Setup Time
Write Recovery Time
SYMBOL
t
RC
t
ACC
t
OE
t
CO
t
COE
t
OD
t
OH
t
WC
t
WP
t
AW
t
WR1
t
WR2
t
ODW
t
OEW
t
DS
t
DH1
t
DH2
MAX
TYPE
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
NOTES
150
70
150
5
5
5
35
5
150
100
0
5
20
3
12
13
5
5
4
12
13
Output High Z from
WE
Output Active from
WE
Data Setup Time
Data Hold Time
35
5
60
0
20
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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DS1233Z-5 5V EconoReset
DS1233A-10 5V EconoReset
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參數(shù)描述
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DS1230W-100IND 功能描述:NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1230W-100IND+ 功能描述:NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1230W-150 功能描述:NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1230W-150+ 功能描述:NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
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