| 型號(hào): | DS1230BL-70 |
| 元件分類(lèi): | 開(kāi)關(guān) |
| 英文描述: | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
| 文件頁(yè)數(shù): | 1/7頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 525K |
| 代理商: | DS1230BL-70 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DP3ED128MX4R8Y5-60C | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
| DPE3232V-20B | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
| DPZ2MX16NV3-10M | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
| DPZ2MX16NV3-12I | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
| DPZ2MX16NV3-15M | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| DS1230BL-70-IND | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:NVRAM (Battery Based) |
| DS1230W | 制造商:DALLAS 制造商全稱(chēng):Dallas Semiconductor 功能描述:3.3V 256k Nonvolatile SRAM |
| DS1230W-100 | 功能描述:NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類(lèi)型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| DS1230W-100+ | 功能描述:NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類(lèi)型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| DS1230W-100IND | 功能描述:NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類(lèi)型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |