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參數(shù)資料
| 型號： | DS1230AB-200 |
| 廠商： | DALLAS SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | Static RAM |
| 英文描述： | 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 200 ns, PDIP28 |
| 封裝： | DIP-28 |
| 文件頁數(shù)： | 9/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 213K |
| 代理商： | DS1230AB-200 |
DS1230Y/AB
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DS1230Y-85 | 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 85 ns, PDIP28 |
| DS1230ABP-100 | 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100 ns, DMA34 |
| DS1230AB-85 | 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 85 ns, PDIP28 |
| DS1230AB-70 | 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, PDIP28 |
| DS1230YP-100 | 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100 ns, DMA34 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| DS1230AB-200+ | 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| DS1230AB-200IND | 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| DS1230AB-200-IND | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NVRAM (Battery Based) |
| DS1230AB-200IND+ | 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| DS1230AB-55 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NVRAM (Battery Based) |
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