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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | DS1220AD-85IND |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 64k Nonvolatile SRAM |
| 中文描述： | 64K的非易失SRAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 136K |
| 代理商： | DS1220AD-85IND |
DS1220AB/AD
4 of 9
(V
CC
=5.0V
±
5% for DS1220AB)
(T
A
:
See Note 10)
(V
CC
=5.0V
±
10% for DS1220AD)
DS1220AB-100
DS1220AD-100
DS1220AD-120
MIN
MAX
MIN
MAX
100
120
100
120
50
100
120
5
5
35
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
DS1220AB-120
PARAMETER
SYMBOL
UNITS
NOTES
Read Cycle Time
Access Time
OE
to Output Valid
CE
to Output Valid
OE
or
CE to Output Active
Output High Z from
Deselection
Output Hold from Address
Change
Write Cycle Time
Write Pulse Width
Address Setup Time
Write Recovery Time
t
RC
t
ACC
t
OE
t
CO
t
COE
ns
ns
ns
ns
ns
60
5
t
OD
35
ns
5
t
OH
5
5
ns
t
WC
t
WP
t
AW
t
WR1
t
WR2
t
ODW
t
OEW
t
DS
t
DH1
t
DH2
100
75
0
0
10
120
90
0
0
10
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3
12
13
5
4
4
12
13
Output High from WE
Output Active from WE
Data Setup Time
Data Hold Time
35
35
5
40
0
10
5
50
0
10
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DS1220AB-170IND | 64k Nonvolatile SRAM |
| DS1220AB-200IND | 64k Nonvolatile SRAM |
| DS1220AB-85IND | 64k Nonvolatile SRAM |
| DS1220AB-150-IND | 16k Nonvolatile SRAM |
| DS1220AB | 16k Nonvolatile SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| DS1220AD-IND | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NVRAM (Battery Based) |
| DS1220Y | 制造商:Maxim Integrated Products 功能描述: |
| DS1220Y-100 | 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:16k Nonvolatile SRAM |
| DS1220Y-100+ | 制造商:Maxim Integrated Products 功能描述:NVRAM NVSRAM PARALLEL 16KBIT 5V - Rail/Tube |
| DS1220Y-100-IND | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NVRAM (Battery Based) |
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