參數(shù)資料
型號： DS1220AD-200-IND
英文描述： 16k Nonvolatile SRAM
中文描述： 16K的非易失SRAM
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大小： 136K
代理商： DS1220AD-200-IND
DS1220AB/AD
4 of 9
(V
CC
=5.0V
±
5% for DS1220AB)
(T
A
:
See Note 10)
(V
CC
=5.0V
±
10% for DS1220AD)
DS1220AB-100
DS1220AD-100
DS1220AD-120
MIN
MAX
MIN
MAX
100
120
100
120
50
100
120
5
5
35
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
DS1220AB-120
PARAMETER
SYMBOL
UNITS
NOTES
Read Cycle Time
Access Time
OE
to Output Valid
CE
to Output Valid
OE
or
CE to Output Active
Output High Z from
Deselection
Output Hold from Address
Change
Write Cycle Time
Write Pulse Width
Address Setup Time
Write Recovery Time
t
RC
t
ACC
t
OE
t
CO
t
COE
ns
ns
ns
ns
ns
60
5
t
OD
35
ns
5
t
OH
5
5
ns
t
WC
t
WP
t
AW
t
WR1
t
WR2
t
ODW
t
OEW
t
DS
t
DH1
t
DH2
100
75
0
0
10
120
90
0
0
10
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3
12
13
5
4
4
12
13
Output High from WE
Output Active from WE
Data Setup Time
Data Hold Time
35
35
5
40
0
10
5
50
0
10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
DS1220AD-200IND 64k Nonvolatile SRAM
DS1220AD-85 64k Nonvolatile SRAM
DS1220AD-85IND 64k Nonvolatile SRAM
DS1220AB-170IND 64k Nonvolatile SRAM
DS1220AB-200IND 64k Nonvolatile SRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
DS1220AD-200IND+ 功能描述:NVRAM 16k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1220AD-85 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:64k Nonvolatile SRAM
DS1220AD-85IND 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:64k Nonvolatile SRAM
DS1220AD-IND 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NVRAM (Battery Based)
DS1220Y 制造商:Maxim Integrated Products 功能描述:
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