參數(shù)資料
型號(hào)： DS1220AB-170IND
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 64k Nonvolatile SRAM
中文描述： 64K的非易失SRAM
文件頁(yè)數(shù)： 5/9頁(yè)
文件大小： 136K
代理商： DS1220AB-170IND
DS1220AB/AD
(cont’d)
5 of 9
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
DS1220AB-150
DS1220AD-150
MIN
150
DS1220AB-200
DS1220AD-200
MIN
200
PARAMETER
SYMBOL
MAX
MAX
UNITS
NOTES
Read Cycle Time
Access Time
OE
to Output Valid
CE
to Output Valid
OE
or
CE to Output Active
Output High Z from
Deselection
Output Hold from Address
Change
Write Cycle Time
Write Pulse Width
Address Setup Time
Write Recovery Time
t
RC
t
ACC
t
OE
t
CO
t
COE
ns
ns
ns
ns
ns
150
70
150
200
100
200
5
5
5
t
OD
35
35
ns
5
t
OH
5
5
ns
t
WC
t
WP
t
AW
t
WR1
t
WR2
t
ODW
t
OEW
t
DS
t
DH1
t
DH2
150
100
0
0
10
200
150
0
0
10
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3
12
13
5
4
4
12
13
Output High Z from WE
Output Active from WE
Data Setup Time
Data Hold Time
35
35
5
60
0
10
5
50
0
10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
DS1220AB-200IND 64k Nonvolatile SRAM
DS1220AB-85IND 64k Nonvolatile SRAM
DS1220AB-150-IND 16k Nonvolatile SRAM
DS1220AB 16k Nonvolatile SRAM
DS1220AB-170 64k Nonvolatile SRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
DS1220AB200 制造商:DALLAS 功能描述:New
DS1220AB-200 制造商:DALLAS 制造商全稱(chēng):Dallas Semiconductor 功能描述:64k Nonvolatile SRAM
DS1220AB-200+ 功能描述:NVRAM 16k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類(lèi)型:Parallel 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1220AB-200IND 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類(lèi)型:Parallel 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1220AB-200-IND 制造商:DALLAS 制造商全稱(chēng):Dallas Semiconductor 功能描述:16k Nonvolatile SRAM
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