參數(shù)資料
型號: DS1217M2-25
英文描述: GIGATRUE 550 CAT6 PATCH 1 FT, NON BOOT, ORANGE
中文描述: 非易失讀/寫墨盒
文件頁數(shù): 7/8頁
文件大?。?/td> 83K
代理商: DS1217M2-25
DS1217M
030598 7/8
POWER-DOWN/POWER-UP CONDITION
3.2V
CE
V
CC
t
F
t
PD
t
R
t
REC
t
DR
LEAKAGE CURRENT I
SUPPLIED FROM LITHIUM CELL
DATA RETENTION TIME
4.50V
POWER-DOWN/POWER-UP TIMING
(0
°
to 70
°
C)
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
UNITS
NOTES
CE at VIH before Power-Down
t
PD
0
μ
s
10
V
CC
slew from 4.5V to
0V
(CE at V
IH
)
t
F
100
μ
s
V
CC
slew from 0V to
4.5V
(CE at V
IH
)
t
R
0
μ
s
CE at V
IH
after Power-Up
t
REC
2
125
ms
10
(t
A
=25
°
C)
NOTES
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
UNITS
Expected Data Retention Time
t
DR
5
years
9
WARNING:
Under no circumstances are negative undershoots, of any amplitude, allowed when device is in battery backup mode.
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PDF描述
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參數(shù)描述
DS1217M-3-25 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1217M3-25 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:Nonvolatile Read/Write Cartridge
DS1217M-4-25 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1217M4-25 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:Nonvolatile Read/Write Cartridge
DS1217M-L04 功能描述:RAM READ/WRITE NV LO LEAK 4MEG RoHS:否 類別:存儲卡,模塊 >> 存儲器 - 模塊 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:1GB 速度:133MHz 特點:- 封裝/外殼:168-DIMM