參數(shù)資料
型號(hào)： DRA5
廠商： Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述： 5.0A Reverse Blocking Thyristor
中文描述： 5.0a中反向阻斷晶閘管
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大?。?/td> 99K
代理商： DRA5
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PDF描述
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參數(shù)描述
DRA5113Z0L 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
DRA5114E0L 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
DRA5114T0L 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
DRA5114Y0L 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
DRA5115E0L 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
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