參數(shù)資料
型號(hào)： DN3545N8-G
廠商： SUPERTEX INC
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FET
中文描述： 0.2 A, 450 V, 20 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-243AA
封裝： GREEN PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大小： 494K
代理商： DN3545N8-G
2
DN3545
Notes:
1. I
(continuous) is limited by max rated T
.
2. Mounted on FR4 board, 25mm x 25mm x 1.57mm. Significant P
D
increase possible on ceramic substrate.
Electrical Characteristics
(@25
O
C unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
BV
DSX
V
GS(OFF)
ΔV
GS(OFF)
I
GSS
Switching Waveforms and Test Circuit
90%
10%
90%
90%
10%
10%
PULSE
GENERATOR
V
DD
R
L
OUTPUT
D.U.T.
t
(ON)
t
d(ON)
t
(OFF)
t
d(OFF)
t
F
t
r
INPUT
INPUT
OUTPUT
0V
V
DD
R
gen
0V
-10V
Thermal Characteristics
Package
I
(continuous)
1
136mA
200mA
I
(pulsed)
550mA
550mA
Power Dissipation
@T
A
= 25
O
C
0.74W
1.6W
2
θ
O
C/W
125
15
θ
O
C/W
170
78
2
I
DR
1
I
DRM
T0-92
TO-243AA
136mA
200mA
550mA
550mA
Min
450
-1.5
-
-
-
Typ
-
-
-
-
-
Max
-
-3.5
4.5
100
1.0
Units
V
V
mV/
O
C
nA
μA
Conditions
V
GS
= -5V, I
D
= 100μA
V
DS
= 25V, I
D
= 10μA
V
DS
= 25V, I
D
= 10μA
V
GS
= ± 20V, V
DS
= 0V
V
GS
= -5V, V
DS
= Max Rating
V
GS
= -5V, V
DS
= 0.8 Max Rating
T
A
= 125°C
V
GS
= 0V, V
DS
= 15V
Drain-to-source breakdown voltage
Gate-to-source OFF voltage
Change in V
GS(OFF)
with temperature
Gate body leakage current
I
D(OFF)
Drain-to-source leakage current
-
-
1.0
mA
I
DSS
Saturated drain-to-source current
Static drain-to-source
on-state resistance
Change in R
DS(ON)
with temperature
Forward transductance
Input capacitance
Common source output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-ON delay time
Rise time
Turn-OFF delay time
Fall time
Diode forward voltage drop
Reverse recovery time
200
-
-
mA
R
DS(ON)
-
-
20
Ω
V
GS
= 0V, I
D
= 150mA
ΔR
DS(ON)
G
FS
C
ISS
C
OSS
C
RSS
t
d(ON)
t
r
t
d(OFF)
t
f
V
SD
t
rr
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.1
-
360
40
15
20
30
30
40
1.8
-
%/
O
C
m I
D
= 100mA, V
DS
= 10V
V
GS
= 0V, I
D
= 150mA
150
-
-
-
-
-
-
-
-
-
pF
V
GS
= -5V, V
DS
= 25V, f = 1MHz
ns
V
DD
= 25V, I
D
= 150mA,
R
GEN
= 25Ω,V
GS
= 0V to -10V
V
ns
V
GS
= -5V, I
SD
= 150mA
V
GS
= -5V, I
SD
= 150mA
800
Ω
相關(guān)PDF資料
PDF描述
DN3545 N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓450V,N溝道耗盡型垂直DMOS場效應(yīng)管)
DN3545 N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FETs
DN3545N3 N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FETs
DN3545N8 N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FETs
DN3545ND N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FETs
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參數(shù)描述
DN3545ND 制造商:SUPERTEX 制造商全稱:SUPERTEX 功能描述:N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FETs
DN3545N-G3-P013 功能描述:MOSFET 450V 20Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
DN3687GFPV 功能描述:IC H8/3687 MCU EEPROM 64LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:H8® H8/300H 微型 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 系列:PIC® 16F 核心處理器:PIC 芯體尺寸:8-位 速度:20MHz 連通性:I²C，SPI 外圍設(shè)備:欠壓檢測/復(fù)位，POR，PWM，WDT 輸入/輸出數(shù):11 程序存儲(chǔ)器容量:3.5KB（2K x 14） 程序存儲(chǔ)器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:128 x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.3 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 8x10b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:14-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） 包裝:管件
DN3694GFPV 功能描述:IC H8/3694 MCU EEPROM 64-LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:H8® H8/300H 微型 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊:CAN Basics Part-1 CAN Basics Part-2 Electromagnetic Noise Reduction Techniques Part 1 M16C Product Overview Part 1 M16C Product Overview Part 2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:M16C™ M32C/80/87 核心處理器:M32C/80 芯體尺寸:16/32-位 速度:32MHz 連通性:EBI/EMI，I²C，IEBus，IrDA，SIO，UART/USART 外圍設(shè)備:DMA，POR，PWM，WDT 輸入/輸出數(shù):121 程序存儲(chǔ)器容量:384KB（384K x 8） 程序存儲(chǔ)器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:24K x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):3 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 34x10b，D/A 2x8b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-20°C ~ 85°C 封裝/外殼:144-LQFP 包裝:托盤 產(chǎn)品目錄頁面:749 (CN2011-ZH PDF) 配用:R0K330879S001BE-ND - KIT DEV RSK M32C/87
DN-36-CV1 制造商:HRS 制造商全稱:HRS 功能描述:DN SERIES-NEW D SUBMINIATURE INTERFACE CONNECTORS
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