參數(shù)資料
型號(hào)： DMP3030SN
廠商： Diodes Inc.
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
中文描述： P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 190K
代理商： DMP3030SN
Electrical Characteristics
@T
A
= 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
OFF CHARACTERISTICS (Note 5)
Drain-Source Breakdown Voltage
BV
DSS
-30
V
V
GS
= 0V, I
D
= -250mA
Zero Gate Voltage Drain Current
I
DSS
-10
μ
A
V
DS
= -30V, V
GS
= 0V
Gate-Body Leakage
I
GSS
±
10
μ
A
V
GS
=
±
20V, V
DS
= 0V
ON CHARACTERISTICS (Note 5)
Gate Threshold Voltage
V
GS(th)
-1.0
-3.0
V
V
DS
= -10V, I
D
= -1.0mA
V
GS
= -10V, I
D
= -0.4A
V
GS
= -4.5V, I
D
= -0.4A
V
DS
= -10V, I
D
= 0.4A
Static Drain-Source On-Resistance
R
DS (ON)
0.20
0.35
0.25
0.45
Ω
Forward Transfer Admittance
|Y
fs
|
1
S
Diode Forward Voltage (Note 5)
V
SD
-0.8
-1.1
V
V
GS
= 0V, I
S
= -0.7A
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
C
iss
160
pF
Output Capacitance
C
oss
120
pF
Reverse Transfer Capacitance
C
rss
50
pF
V
DS
= -10V, V
GS
= 0V
f
= 1.0MHz
SWITCHING CHARACTERISTICS
Turn-On Delay Time
t
D(ON)
10
ns
Turn-Off Delay Time
t
D(OFF)
25
ns
Turn-On Rise Time
t
r
25
ns
Turn-Off Fall Time
Notes:
t
f
40
ns
V
DD
= -10V, I
D
= -0.4A,
V
GS
= -5.0V, R
GEN
= 50
Ω
N
5. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.
V
GS
=-2.5V
-4.5V
-4V
-3.5V
-3V
-10V-5V
DS30787 Rev. 2 - 2
2 of 4
www.diodes.com
DMP3030SN
Diodes Incorporated
相關(guān)PDF資料
PDF描述
DMP3030SN-7 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DN350T05 NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
DN350T05-7 NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
DNBT8105 1A NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR
DNBT8105-7 1A NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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