參數(shù)資料
型號(hào)： DMN2004K
廠商： Diodes Inc.
英文描述： N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
中文描述： N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 148K
代理商： DMN2004K
DS30938 Rev. 2 - 2
3 of 4
DMN2004K
www.diodes.com
N
I , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 5 Static Drain-Source On-Resistance
vs. Drain Current
0.1
1
V
Pulsed
= 5V
GS
T = 150 C
°
T = -55 C
°
T = -25 C
°
T = 0 C
°
T = 25 C
°
T = 125 C
°
T = 85 C
°
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
6
0.2
0.1
0
0.6
0.5
0.4
0.3
0.7
1.0
0.9
0.8
0
V
, GATE-SOURCE
Fig. 6 Static Drain-Source, On-Resistance
vs. Gate-Source Voltage
GS
VOLTAGE (V)
4
2
T = 25°C
I = 540mA
I , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 7
On-Resistance vs. Drain
Current and Gate Voltage
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
= 1.8V
GS
V
= 4.5V
GS
V
= 2.5V
GS
T = 25°C
T, JUNCTION TEMPERATURE ( C)
Fig. 8
Static Drain-Source, On-Resistance
vs. Temperature
°
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.2
0.3
0.5
0.1
0.4
V
I = 280mA
= 10V,
GS
V
I = 540mA
= 4.5V,
GS
I
,
C
D
V
Fig. 9 Drain Source Leakage Current
vs. Voltage
,
DS
DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
0.1
1
10
100
1000
10000
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
T = 100°C
T = 150°C
I
,
D
0.001
0.01
0.1
0.5
0
1
1
V
,
SOURCE
Fig. 10 Reverse Drain Current
vs. Source-Drain Voltage
SD
DRAIN-
VOLTAGE (V)
V
= 0V
GS
T
= -55 C
A
°
T
= 150 C
A
°
T = -25 C
°
T = 0 C
°
T = 25 C
°
T
= 85 C
A
°
T
= 125 C
A
°
相關(guān)PDF資料
PDF描述
DMN2004K-7 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMN2004VK DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMN2004VK-7 DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMN2004WK N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMN2004WK-7 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
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