參數(shù)資料
型號(hào)： DMN100
廠商： Diodes Inc.
英文描述： N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
中文描述： N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 3/3頁
文件大小： 63K
代理商： DMN100
DS30049 Rev. 5 - 2
3 of 3
DMN100
0
0.5
1.0
0
1
2
3
4
5
I
D
V
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 On-Region Characteristics
DS
3.0V
2.5V
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
= 10V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
GS
0.01
0.1
1.0
0
1
2
3
4
R
,
D
D
I , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 2 On-Resistance vs Drain Current
V
= 4.5V
gs
V
= 10V
gs
0
0.05
0.10
-50
R
,
D
D
T, JUNCTION TEMPERATURE ( C)
Fig. 3 On-Resistance vs Junction Temperature
V
= 4.5V, R
GS
DS
@ 0.5A
V
= 10V, R
GS
DS
@ 1.0A
0
50
150
100
0.15
0.20
0.25
0.30
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
V
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 4 On-Resistance vs Gate-Source Voltage
GS
V
T = 25 C
= 10V
GS
3.0
3.5
2
3
4
5
4.0
R
,
D
D
相關(guān)PDF資料
PDF描述
DMN100-7 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMN2004DWK DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMN2004DWK-7 DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMN2004K N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMN2004K-7 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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DMN100-7-F 功能描述:MOSFET N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
DMN1019UFDE 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:12V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
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