參數(shù)資料
型號： DMMT5551S-7-F
廠商： DIODES INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： MATCHED NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
中文描述： 200 mA, 160 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： GREEN, PLASTIC PACKAGE-6
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 101K
代理商： DMMT5551S-7-F
DS30436 Rev. 7 - 2
3 of 4
DMMT5551/DMMT5551S
www.diodes.com
1
10
1000
100
1
10
100
f
T
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
Fig. 5, Gain Bandwidth Product vs.
Collector Current
V
= 5V
CE
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0.1
1
10
100
V
,
B
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
Fig. 4, Base Emitter Voltage
vs. Collector Current
V
= 5V
CE
T
= 150°C
A
T
= 25°C
A
T
= -50°C
A
1
10
1000
100
1
10
100
h
,
F
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
Fig. 3, DC Current Gain vs
Collector Current
V
= 5V
CE
T
= 150°C
A
T
= 25°C
A
T
= -50°C
A
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
0.09
0.15
0.14
0.13
0.12
0.11
0.10
1
10
100
1000
V
,
C
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
Fig. 2, Collector Emitter Saturation Voltage
vs. Collector Current
I
C
I
B
=
10
T
= 150°C
A
T
= 25°C
A
T
= -50°C
A
0
50
100
25
50
75
100
125
150
175
200
P
D
T , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 1, Max Power Dissipation vs
Ambient Temperature
150
200
250
300
350
400
0
Note 2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
DMN100 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMN100-7 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
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DMN2004DWK-7 DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
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參數(shù)描述
DMMT5551-TP 功能描述:TRANSISTOR NPN 200MA 160V SOT363 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:2 NPN（雙） 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:45V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:600mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):200 @ 2mA，5V 功率 - 最大:250mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000747402
DMN100 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMN100_0711 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
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