| 型號： |
DMG4800LSD-13 |
| 廠商： |
Diodes Inc |
| 文件頁數(shù)： |
1/6頁 |
| 文件大小： |
0K |
| 描述： |
MOSFET 2N-CH 30V 8.54A SO8 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： |
1 |
| FET 型： |
2 個 N 溝道（雙）
|
| FET 特點(diǎn)： |
邏輯電平門
|
| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
30V
|
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： |
8.54A
|
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
16 毫歐 @ 9A，10V
|
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： |
1.6V @ 250µA
|
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
8.56nC @ 5V
|
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： |
798pF @ 10V
|
| 功率 - 最大： |
1.17W
|
| 安裝類型： |
表面貼裝
|
| 封裝/外殼： |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
|
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： |
8-SOP
|
| 包裝： |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 產(chǎn)品目錄頁面： |
1577 (CN2011-ZH PDF)
|
| 其它名稱： |
DMG4800LSD-13DIDKR
|