參數(shù)資料
型號(hào)： DMG1013T-7
廠商： Diodes Inc
文件頁(yè)數(shù)： 6/6頁(yè)
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描述： MOSFET P-CH SOT-523
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1
FET 型： MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)： 邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss)： 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： 460mA
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 700 毫歐 @ 350mA，4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： 1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs： 0.622nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds： 59.76pF @ 16V
功率 - 最大： 270mW
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： SOT-523
供應(yīng)商設(shè)備封裝： SOT-523
包裝： 標(biāo)準(zhǔn)包裝
產(chǎn)品目錄頁(yè)面： 1578 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱： DMG1013T-7DIDKR