參數(shù)資料
型號(hào)： DM2M32SJ6-10
英文描述： Enhanced DRAM (EDRAM) Module
中文描述： 增強(qiáng)的DRAM（eDRAM內(nèi)存）模塊
文件頁(yè)數(shù)： 19/21頁(yè)
文件大小： 124K
代理商： DM2M32SJ6-10
2-53
/RE
/CAL
W/R
A
0-10
/WE
/F
t
RE
/S
t
RAH
t
MSU
t
A
0-7
ASR
t
MH
t
SSR
DQ
0-7
t
RP
t
RSH
t
CAE
t
CHR
Row
Column
t
ASC
t
CAH
t
CWL
Mask
Data
t
t
DMH
DMS
t
RWL
t
WCH
t
WRP
t
DS
t
DH
t
WP
t
RRH
t
MSU
t
MH
t
SHR
t
ACH
t
WHR
Don’t Care or Indeterminate
NOTES: 1.
2.
Data mask bit high (1) enables bit write; data mask bit low(0) inhibits bit write.
Write-per-bit cycle valid only for DM2213.
/HIT
t
HZ
Open
t
HV
Open
Write-Per-Bit Cycle (/G=Hgh)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
DM2M36SJ-10 Enhanced DRAM (EDRAM) Module
DM4M32SJ-10 Enhanced DRAM (EDRAM) Module
DM2203T-20 Enhanced DRAM (EDRAM)
DM2203TME-15 Enhanced DRAM (EDRAM)
DM2203TME-20 Enhanced DRAM (EDRAM)
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參數(shù)描述
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DM2T0080 制造商:Lovato Electric Inc 功能描述:
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