參數(shù)資料
型號: DG636EN-T1-E4
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數(shù): 14/14頁
文件大?。?/td> 0K
描述: IC SWITCH DUAL SPDT 16-MINIQFN
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
功能: 開關(guān)
電路: 2 x SPDT
導(dǎo)通狀態(tài)電阻: 170 歐姆
電壓電源: 單/雙電源
電壓 - 電源,單路/雙路(±): 2.7 V ~ 12 V,± 2.7 V ~ 5 V
電流 - 電源: -500nA,500nA
工作溫度: -40°C ~ 125°C
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 16-WFQFN
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 16-迷你型QFN(1.8x2.6)
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱: DG636EN-T1-E4DKR
Vishay Siliconix
DG636
Document Number: 69901
S10-1815-Rev. D, 02-Aug-10
www.vishay.com
9
TEST CIRCUITS
Figure 1. Transition Time
A0
A1
ENABLE
GND
V+
V-
V+
VO
50
Ω
300
Ω
35 pF
D1 or D2
S1A or S2A
S2A or S2B
VS1A or VS2A
VS2A or VS2B
0 V
VCC
50 %
90 %
tTRANS
VO
VA0,A1
VS1A or VS2A
tTRANS
tr < 5 ns
tf < 5 ns
V+
Figure 2. Enable Switching Time
A0
A1
ENABLE
GND
V+
V-
V+
VO
50
Ω
300
Ω
35 pF
D1 or D2
S1A or S2A
S1B or S2B
0 V
VCC
50 %
90 %
tON
S1A or S2A ON
VO
VENABLE
VS1Aor VS2A
V+
0 V
tr < 5 ns
tf < 5 ns
tOFF
90 %
Figure 3. Break-Before-Make
A0
A1
ENABLE
GND
V+
V-
VO
50
Ω
300
Ω
35 pF
D1 or D2
SxA - SxB
0 V
VCC
50 %
80 %
tD
VO
VA0,A1
VSxA or VSxB
V+
0 V
V
+
tr < 5 ns
tf < 5 ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
DG643DY-E3 IC VIDEO SWITCH SPDT 16SOIC
DG722DQ-T1-GE3 IC SWITCH
DG787DQ-T1-E3 IC SWITCH SPDT 10MSOP
DG884DN-E3 IC VIDEO MULTIPLEXER 8X4
DG9233DY-E3 IC SWITCH DUAL SPST 8SOIC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
DG636EQ-T1-E3 功能描述:模擬開關(guān) IC Dual SPDT Switches RoHS:否 制造商:Texas Instruments 開關(guān)數(shù)量:2 開關(guān)配置:SPDT 開啟電阻(最大值):0.1 Ohms 切換電壓(最大): 開啟時間(最大值): 關(guān)閉時間(最大值): 工作電源電壓:2.7 V to 4.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DSBGA-16
DG63-B1A 制造商:HRS 制造商全稱:HRS 功能描述:Snap-Action Switches Insert molding terminals
DG63-B1AA 制造商:HRS 制造商全稱:HRS 功能描述:Snap-Action Switches Insert molding terminals
DG63-B2A 制造商:HRS 制造商全稱:HRS 功能描述:Snap-Action Switches Insert molding terminals
DG63-B2AA 制造商:HRS 制造商全稱:HRS 功能描述:Snap-Action Switches Insert molding terminals