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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | DG417DY-T1-E3 |
| 廠商： | Vishay Siliconix |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 10/16頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC ANALOG SWITCH SPDT 8SOIC |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 2,500 |
| 功能： | 開(kāi)關(guān) |
| 電路： | 1 x SPST - NC |
| 導(dǎo)通狀態(tài)電阻： | 40 歐姆 |
| 電壓電源： | 單/雙電源 |
| 電壓 - 電源，單路/雙路(±)： | 12V，±15V |
| 電流 - 電源： | 1nA |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 安裝類(lèi)型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 8-SOICN |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |
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Document Number: 70051
S10-1528-Rev. G, 19-Jul-10
www.vishay.com
3
Vishay Siliconix
DG417, DG418, DG419
SCHEMATIC DIAGRAM Typical Channel
Figure 1.
SPECIFICATIONSa
Parameter
Symbol
Test Conditions
Unless Otherwise Specified
V+ = 15 V, V- = - 15 V
VL = 5 V, VIN = 2.4 V, 0.8 V
f
Temp.b
Typ.c
A Suffix
- 55 °C to 125 °C
D Suffix
- 40 °C to 85 °C
Unit
Min.d
Max.d
Min.d
Max.d
Analog Switch
Analog Signal Rangee
VANALOG
Full
- 15
15
- 15
15
V
Drain-Source
On-Resistance
RDS(on)
IS = - 10 mA, VD = ± 12.5 V
V+ = 13.5 V, V- = - 13.5 V
Room
Full
20
35
45
35
45
Switch Off Leakage
Current
IS(off)
V+ = 16.5, V- = - 16.5 V
VD = ± 15.5 V
VS = ± 15.5 V
Room
Full
- 0.1
- 0.25
- 20
0.25
20
- 0.25
- 5
0.25
5
nA
ID(off)
DG417
DG418
Room
Full
- 0.1
- 0.25
- 20
0.25
20
- 0.25
- 5
0.25
5
DG419
Room
Full
- 0.1
- 0.75
- 60
0.75
60
- 0.75
- 12
0.75
12
Channel Off Leakage
Current
ID(on)
V+ = 16.5 V, V- = - 16.5 V
VS = VD = ± 15.5 V
DG417
DG418
Room
Full
- 0.4
- 40
0.4
40
- 0.4
- 10
0.4
10
DG419
Room
Full
- 0.4
- 0.75
- 60
0.75
60
- 0.75
- 12
0.75
12
Digital Control
Input Current VIN Low
IIL
Full
0.005
- 0.5
0.5
- 0.5
0.5
A
Input Current VIN High
IIH
Full
0.005
- 0.5
0.5
- 0.5
0.5
Dynamic Characteristics
Turn-On Time
tON
RL = 300 , CL = 35 pF
VS = ± 10 V
See Switching Time
Test Circuit
DG417
DG418
Room
Full
100
175
250
175
250
ns
Turn-Off Time
tOFF
DG417
DG418
Room
Full
60
145
210
145
210
Transition Time
tTRANS
RL = 300 , CL = 35 pF
VS1 = ± 10 V, VS2 = ± 10 V
DG419
Room
Full
175
250
175
250
Break-Before-Make
Time Delay (DG403)
tD
RL = 300 , CL = 35 pF
VS1 = VS2 = ± 10 V
DG419
Room
13
5
Charge Injection
Q
CL = 10 nF, Vgen = 0 V, Rgen = 0
Room
60
pC
Level
Shift/
Drive
VIN
VL
S
V+
GND
V-
D
V-
V+
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