參數(shù)資料
型號： DF2S6.2FS
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 200; Vz (V): 11.10 to 11.56; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: URP
中文描述： 產(chǎn)品使用，但對靜電放電（ESD）保護。
文件頁數(shù)： 2/3頁
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代理商： DF2S6.2FS
DF2S6.2FS
2007-11-01
2
Guaranteed Level of ESD Immunity
Test Condition
ESD Immunity Level
IEC61000-4-2
(Contact discharge)
±
30 kV
Criterion: No damage to device elements
Marking
Equivalent Circuit
(Top View)
6
IZ - VZ
0
0
0
1
10
100
0
2
ZENER VOLTAGE VZ (V)
4
6
8
0.01
Ta=25°C
0.1
0.001
Z
CT - VR
1
10
100
0
2
4
6
8
f=1MHz
Ta=25°C
REVERSE VOLTAGE VR(V)
T
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PDF描述
DF2S6.8FS Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 200; Vz (V): 11.42 to 12.60; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: URP
DF2S6.8S Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 200; Vz (V): 11.42 to 11.90; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: URP
DF2S8.2FS Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 200; Vz (V): 11.74 to 12.24; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: URP
DF2S8.2S Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 200; Vz (V): 12.08 to 12.60; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: URP
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