參數(shù)資料
型號(hào)： DF2S5.6FS
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 200; Vz (V): 10.44 to 11.56; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: URP
中文描述： 產(chǎn)品使用，但對(duì)靜電放電（ESD保護(hù)）
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
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代理商： DF2S5.6FS
DF2S5.6FS
2007-11-01
2
Guaranteed Level of ESD Immunity
Marking
Equivalent Circuit
(Top View)
.
6
Criterion: No damage to device elements
Test Condition
ESD Immunity Level
IEC61000-4-2
(Contact discharge)
±30kV
CT - VR
1
10
100
0
1
2
3
4
5
6
f=1MHz
Ta=25°C
REVERSE VOLTAGE VR(V)
T
IZ - VZ
1
10
100
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.0
Ta=25°C
0
Z
ZENER VOLTAGE VZ (V)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
DF2S5.6S Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 200; Vz (V): 10.76 to 11.22; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: URP
DF2S6.2FS Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 200; Vz (V): 11.10 to 11.56; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: URP
DF2S6.8FS Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 200; Vz (V): 11.42 to 12.60; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: URP
DF2S6.8S Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 200; Vz (V): 11.42 to 11.90; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: URP
DF2S8.2FS Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 200; Vz (V): 11.74 to 12.24; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: URP
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
DF2S6.2FS 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Product for Use Only as Protection against Electrostatic Discharge (ESD).
DF2S6.2FS(TPL3) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Diode,ESD Pro,Vz=6.2V,Ir(max)=1#?A,fSC
DF2S6.2FSTPL3 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TVS DIODE 5VWM
DF2S6.8CT(TPL3) 功能描述:ESD 抑制器 ZENER DIODE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道:8 Channels 擊穿電壓:8 V 電容:45 pF 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:uQFN-16 功率耗散 Pd: 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C
DF2S6.8FS 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Product for Use Only as Protection against Electrostatic Discharge (ESD).
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