參數(shù)資料
型號(hào)： DF2S16FS
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 200; Vz (V): 9.45 to 9.87; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: URP
中文描述： 產(chǎn)品使用，但對(duì)靜電放電（ESD）保護(hù)。
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 141K
代理商： DF2S16FS
DF2S16FS
2007-11-01
2
Guaranteed Level of ESD Immunity
Test Condition
ESD Immunity Level
IEC61000-4-2
(contact discharge)
±
12 kV
Criterion: No damage to device elements
Marking Equivalent Circuit
(Top View)
: 8
CT - VR
1
10
100
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
ZENER VOLTAGE VZ (V)
T
Ta = 25°C
f = 1MHz
IZ - VZ
0
0
0
1
10
10
12
14
16
18
20
ZENER VOLTAGE VZ (V)
Ta = 25°C
0.1
0.01
0.001
Z
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PDF描述
DF2S16S Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 200; Vz (V): 9.77 to 10.21; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: URP
DF2S24FS Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 200; Vz (V): 10.11 to 10.55; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: URP
DF2S5.6FS Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 200; Vz (V): 10.44 to 11.56; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: URP
DF2S5.6S Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 200; Vz (V): 10.76 to 11.22; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: URP
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