參數(shù)資料
型號(hào)： DE375-102N10A
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： RF Power MOSFET
中文描述： VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大小： 157K
代理商： DE375-102N10A
DE375-102N10A
RF Power MOSFET
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(
T
J
= 25°C unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
R
G
0.3
C
iss
2900
pF
C
oss
V
GS
= 0 V, V
DS
= 0.8 V
DSS(max)
,
f = 1 MHz
100
pF
C
rss
25
pF
T
d(on)
5
ns
T
on
V
GS
= 15 V, V
DS
= 0.8 V
DSS
I
D
= 0.5 I
DM
R
G
= 0.2
(External)
3
ns
T
d(off)
5
ns
T
off
8
ns
Q
g(on)
90
nC
Q
gs
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
I
D
= 0.5 I
D25
30
nC
Q
gd
40
nC
C
stray
Back Metal to any Pin
33
pF
Source-Drain Diode -
Characteristic Values
(
T
J
= 25°C unless otherwise specified)
Symbol
Test Conditions
min.
typ.
max.
I
S
V
GS
= 0 V
10
A
I
SM
Repetitive; pulse width limited by T
JM
80
A
V
SD
1.5
V
T
rr
200
ns
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle
≤
2%
Q
RM
I
F
= I
S
, -di/dt = 100A/
μ
s,
V
R
= 100V
0.6
μ
C
I
RM
7
A
IXYS RF reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
IXYS RF MOSFETS are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,891,686
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
5,640,045
(1) These parameters apply to the package, not individual MOSFET devices.
For detailed device mounting and installation instructions, see the “
DE-
Series MOSFET Mounting Instructions
” technical note on IXYS RF’s web
site at www.ixysrf.com/Technical_Support/App_notes.html
相關(guān)PDF資料
PDF描述
DE375-501N21A RF Power MOSFET
DE3L40 Super Fast Recovery Rectifiers(400V 3A)
DE3S4M Schottky Rectifiers (SBD) (40V 3A)
DE3S6M Schottky Rectifiers (SBD) (60V 3A)
DE475-102N21A RF Power MOSFET
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參數(shù)描述
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DE375-102N30-00 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 1KV V(BR)DSS | 30A I(D)
DE375-301N35-00 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 300V V(BR)DSS | 35A I(D)
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