型號: | DDTD114EC |
廠商: | DIODES INC |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | NPN PRE-BIASED 500 mA SOT-23 SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
中文描述: | 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封裝: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
文件頁數(shù): | 1/3頁 |
文件大?。?/td> | 69K |
代理商: | DDTD114EC |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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DDTD123EC | CAP .22UF 50V PPS FILM ECH-S |
DDTD123YC | NPN PRE-BIASED 500 mA SOT-23 SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
DDTD113EC | NPN PRE-BIASED 500 mA SOT-23 SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
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DDTD114GC | NPN PRE-BIASED 500 mA SOT-23 SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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DDTD114EC-7 | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 200MW 10KW 10KW RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
DDTD114EC-7-F | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 200MW 10K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
DDTD114EU | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:NPN PRE-BIASED 500 mA SOT-323 SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
DDTD114EU-7 | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 200MW 10KW 10KW RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
DDTD114EU-7-F | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 200MW 10K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |