參數(shù)資料
型號(hào)： DDTD113ZC
廠商： DIODES INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN PRE-BIASED 500 mA SOT-23 SURFACE MOUNT TRANSISTOR
中文描述： 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/3頁(yè)
文件大?。?/td> 69K
代理商： DDTD113ZC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
DDTD113ZC-13-F 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:PREBIASED TRANSISTOR SOT-23 R1<>R2 NPN 200MW 1KOHMS 10KOHMS - Tape and Reel
DDTD113ZC-7 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 200MW 1KW 10KW RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
DDTD113ZC-7-F 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 200MW 1K 10K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
DDTD113ZU 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:NPN PRE-BIASED 500 mA SOT-323 SURFACE MOUNT TRANSISTOR
DDTD113ZU-7 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 200MW 1KW 10KW RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
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