參數(shù)資料
型號： DDC144NS
廠商： Diodes Inc.
英文描述： 100mA PRE-BIASED TRANSISTOR ARRAY USING DUAL NPN TRANSISTOR
中文描述： 100mA的預(yù)偏置晶體管陣列利用雙NPN晶體管
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 139K
代理商： DDC144NS
DS30747 Rev. 4 - 2
2 of 5
DDC144NS
www.diodes.com
Electrical Characteristics:
Pre-Biased NPN Transistor
@ T
A
= 25 C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
V
I(off)
V
I(on)
V
O(on)
I
I
I
O(off)
G
I
R1
R2/R1
f
T
Min
0.5
Typ
1.1
1.5
0.1
Max
Unit
V
V
V
mA
uA
Test Condition
Input Voltage
V
cc
= 5V, I
O
= 100uA
V
O
= 0.3V, I
O
= 2mA
I
O
/I
I
= 10mA/0.5mA
V
I
= 5V
V
cc
= 50V, V
I
= 0V
V
O
= 5V, I
O
= 5mA
3
Output Voltage
Input Current
Output Current
DC Current Gain
Input Resistor (R1) Tolerance
Resistance Ratio Tolerance
Gain-Bandwidth Product
0.3
0.18
0.5
100
-30
-20
+30
+20
%
%
250
MHz
V
CE
= 10V, I
E
= 5mA, f = 100 MHz
N
Typical Characteristics of NPN Transistor
(@Tamb = 25°C unless otherwise specified)
-50
0
50
100
150
250
200
150
50
100
0
T , AMBIENT TEMPERATURE ( C)
Fig. 3 Derating Curve
°
P
D
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
0
0
I
C
V
Fig. 4
CE
, COLLECTOR EMITTER VOLTAGE (V)
V
CE
vs I
C
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
I = 0.45mA
I = 0.4mA
I = 0.35mA
I = 0.3mA
I = 0.25mA
I = 0.2mA
I = 0.15mA
I = 0.1mA
I = 0.05mA
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
0.1
1000
h
,
F
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
Fig. 6 DC Current Gain
10
1
100
V
= 10V
CE
T = 25
C
T = 125
C
T = 150
C
T = -55
C
T = 85
C
0
50
100
150
250
300
400
350
450
0.1
1
100
1000
h
,
F
I COLLECTOR CURRENT (mA)
Fig. 5 DC Current Gain
10
200
V
= 5V
CE
T = 125
C
T = 150
C
T = 85
C
T = 25
C
T = -55
C
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PDF描述
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