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參數(shù)資料
| 型號： | DD242S |
| 英文描述： | SCR / Diode Modules |
| 中文描述： | SCR /二極管模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 3/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 166K |
| 代理商： | DD242S |
DD 242 S
Pos. n
R
thn
[°C/W]
τ
n
[s]
1
2
3
4
5
6
7
Analytische Elemente des transienten Wrmewiderstandes Z
thJC
pro Zweig für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
per arm for DC
Analytische Funktion / Analytical function:
n
n=1
Z
thJC
= R
thn
(1-e )
t
n
0,0031
0,0009
0,0097
0,008
0,0257
0,11
0,0529
0,61
0,0526
3,06
Bild / Fig. 1
Typische Abhngigkeit der oberen Rückstromspitze von der
abkommutierenden Stromsteilheit -di
/dt bei t
.
Typical realationship between the maximum peak reverse recovery
current and the rate ofdecay of forward current -di
F
/dt at t
vj max
20
40
60
80
100
120
140
160
180 200
0
0
50
100
150
200
I
RM
[A]
250
-di
F
/dt [A/μs]
DD 242 S2
1000A
500A
200A
100A
50A
i
FM
=
Bild / Fig. 2
Typische Abhngigkeit der oberen Sperrverzgerungsladung Q
s
von der
abkommutierenden Stromsteilheit -di
/dt bei t
.
Typical realationship between the maximum recovered charge Q
s
and the
rate of decay of forward current -di
F
/dt at t
vj max
20
40
60
80
100
120
140
160
180 200
0
0
50
100
150
200
Q
s
[μ
As
]
250
-di
F
/dt [A/μs]
DD 242 S3
1000A
500A
200A
100A
50A
i
FM
=
Bild / Fig. 3
Transienter innerer Wrmewiderstand Z
(th)JC
je Zweig bei sinus- und trapez-
frmigem Stromverlauf.
Transient thermal impedance Z
, junction to case per arm at sinusoidal
and trapetzodial current waveform.
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
0
T [s]
Z
thJC
[°C/W]
10
2
2 3 4 6
2 3 4 6
2 3 4 6
2 3 4 6
2 3 4 6
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0.14
0.16
0.18
DD 241 / 242 S1
Θ
=60°
120°
180°
Θ
=180°
DC
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PDF描述 |
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