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參數(shù)資料
| 型號： | DD171N |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | European Power- Semiconductor and Electronics Company GmbH + Co. KG |
| 中文描述： | 歐洲功率半導(dǎo)體和電子企業(yè)有限公司合公司 |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 175K |
| 代理商： | DD171N |
DD 171 N
Bild/Fig. 1
Durchlaverlustleistung P
eines Zweiges
Forward power loss P
FAV
per arm
DD171N1
I
FAV
[A]
P
FAV
[W]
200
0
0
50
100
150
200
250
60°
120°
180°
DC
300
50
100
150
250
300
180°
H
=
Bild/Fig. 2
Hchstzulssige Gehusetemperatur t
C
in Abhngigkeit vom Zweigstrom
Maximum allowable case temperature t
C
versus current per arm
DC
t
C
[°C]
I
FAVM
[A]
DD171N2
0
50
100
150
200
250
300
60°
H
=
120°
180°
180°
30
60
90
120
150
140
130
100
80
70
40
50
Bild/Fig. 5
Grenzstrom je Zweig I
bei Luftselbstkühlung, t
=45°C und verstrkter
Luftkühlung, t
=35°C, Belastung nach Leerlauf, v
RM
= 0,8 V
RRM.
Limiting overload on-state current per arm I
A
=45°C) and
forced (t
A
=35°) cooling, current surge under no-load conditions,
v
RM
= 0.8 V
RRM
.
DD171N5
2
4
t [ms]
I
F(OV)M
[kA]
4
10
1
10
2
10
3
6
8
2
4
6
8
1
2
3
t
A
= 35°C
t
A
= 45°C
5
0
6
Bild/Fig. 3
B2 - Zweipuls-Brückenschaltung. Hchstzulssiger Ausgangsstrom I
d
in Abhngigkeit von der Umgebungstemperatur t
.
B2 - Two-pulse bridge circuit. Maximum allowable output current I
d
versus ambient temperature t
.
Parameter: Wrmewiderstand zwischen Powerblock und Umgebung/
thermal resistance case to ambient R
thCA
DD171N3
20
40
60
80
100
P
tot
[W]
I
d
[A]
0
t
A
[°C]
200
300
400
0
0,4
0,5
0,3
0,25
0,2
0,15
0,12
0,10,08
R
thCA
[°C/W]
800
600
0,06 0,05
120
100
400
200
0,8
1,0
1,5
0,6
700
500
300
100
L-Last
R-Last
Bild/Fig. 4
B6 - Sechspuls-Brückenschaltung. Hchstzulssiger Ausgangsstrom I
d
in Abhngigkeit von der Umgebungstemperatur t
.
B6 - Six-pulse bridge circuit. Maximum allowable output current I
d
versus ambient temperature t
.
Parameter: Wrmewiderstand zwischen Powerblock und Umgebung/
thermal resistance case to ambient R
thCA
DD171N4
20
40
60
80
100
P
tot
[W]
I
d
[A]
0
t
A
[°C]
200
300
500
400
0
0,4
0,5
0,3
0,25
0,2
0,15
0,12
0,1
0,08
R
thCA
[°C/W]
800
600
1000
1200
0,060,05
120
100
400
200
0,8
0,6
DD171N08...16
1
10
100
Q
r
[μAs]
2000
-di/dt [A/μs]
Bild/Fig. 6
Sperrverzgerungsladung / Recovered charge Q
r
= f(-di/dt)
t
= t
, v
<= 0,5 V
, v
= 0,8 V
Parameter: Durchlastrom / Forward current i
FM
i
FM
[ A ]
2
4
7
20
40
70
200
400
700
100
4000
1000
1000
500
200
50
20
100
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DD20R | TRANSISTOR, DMOS FET, N-CH, ENHANCEMENT MODE, SOT-143 |
| DD238 | Analog IC |
| DD438 | Analog IC |
| DD440 | Analog IC |
| DD443 | Analog IC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| DD171N08K | 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 0.8KV 171A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
| DD171N12K | 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 1200V 270A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
| DD171N12K-A | 功能描述:整流器 Rectifier Diode Module 1200V 171A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| DD171N12K-K | 功能描述:整流器 Rectifier Diode Module 1200V 171A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| DD171N13K | 制造商:n/a 功能描述:Power Module |
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