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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | DCX4710H-7 |
| 廠商： | DIODES INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 100mA DUAL COMPLEMENTARY PRE-BIASED TRANSISTORS |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | GREEN, PLASTIC PACKAGE-6 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/8頁(yè) |
| 文件大小： | 142K |
| 代理商： | DCX4710H-7 |
DS30871 Rev. 3 - 2
6 of 8
DCX4710H
www.diodes.com
N
10
V
I
C
Fig. 14
vs. V
CE(SAT)
0.1
1
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
Ic/Ib = 10
T = 150 C
°
°
T = -55 C
°
°
T = 125 C
°
°
T = 25 C
°
°
T = 85 C
°
°
10
V
,
S
C
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
I
C
Fig. 15
vs. V
CE(SAT)
0.1
1
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
Ic/Ib = 20
T = -55 C
°
T = 150 C
°
T = 25 C
°
T = 125 C
°
T = 85 C
°
10
V
,
B
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
I
C
Fig. 16
vs. V
BE(ON)
0.1
1
100
0
2.5
5
7.5
10
12.5
15
17.5
20
22.5
25
V
= 5V
CE
T = -55 C
°
T = 150 C
°
T = 25 C
°
T = 85 C
°
T = 125 C
°
,
S
C
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
10
V
,
B
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
I
C
Fig. 17
vs. V
BE(SAT)
0.1
1
100
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
Ic/Ib = 20
T = -55 C
°
T = 150 C
°
T = 25 C
°
T = 85 C
°
T = 125 C
°
10
V
,
B
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
I
C
Fig. 18
vs. V
BE(SAT)
0.1
1
100
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
Ic/Ib = 10
T = -55 C
°
T = 150 C
°
T = 25 C
°
T = 85 C
°
T = 125 C
°
10
V
,
I
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
Input Voltage vs. Output Current
Fig. 19
0.1
1
100
0
2.5
5
7.5
10
12.5
15
17.5
20
22.5
25
V
= 0.3V
CE
T = -55 C
°
T = 150 C
°
T = 25 C
°
T = 85 C
°
T = 125 C
°
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DDA113TU | PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-363 DUAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| DDA113TU-7-F | PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-363 DUAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| DDA114EU-7-F | PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-363 DUAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| DDA114TU-7-F | PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-363 DUAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| DDA114YU-7-F | PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-363 DUAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| DCX51 | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| DCX51-13 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1000W -45Vceo RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| DCX51-16-13 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1000W -45Vceo RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| DCX52 | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| DCX52-13 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1000W -60Vceo RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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