硅襯底制備工藝簡介
外延工藝原理
四氯化硅氫氣還原法外延原理
外延輔助工藝
外延層質(zhì)量參數(shù)及檢測簡介
有關(guān)外延層層錯
常見的氧化方法及原理
熱氧化工藝及生長原理討論
擴散原理
擴散方程及擴散雜質(zhì)分布
擴散方法
擴散層質(zhì)量參數(shù)及擴散工藝條件選擇
擴散引起的外延層-襯底界面的雜質(zhì)再分布
離子注入原理及分析
光刻工藝及其工藝要求
光刻缺陷及影響
其它光刻技術(shù)簡介
光刻工藝對光刻版的質(zhì)量要求
常規(guī)制版工藝
光刻底版及其制備
隔離工藝與原理
隔離工藝
表面鈍化工藝及原理概述
二氧化硅-硅系統(tǒng)中的電荷
表面內(nèi)電極接觸與互連
集成晶體管的版圖設計
IITC關(guān)注的下一代低k介質(zhì)材料
銅線上使用鈷封層的優(yōu)越性
薄膜生長中的表面動力學間題
硅－硅直接鍵合工藝機理和模擬的研究
推動串行互連革命
IC設計業(yè)面對嚴峻形勢
場區(qū)寄生MOSFET
版圖設計的準備工作
CVD
IC生產(chǎn)線模式
標準工藝加工線 (Foundry)
標準加工線用戶
最小面積晶體管
集成npn管的版圖設計
MOSFET的結(jié)構(gòu)及基本工作原理
n-Si和p-Si體內(nèi)遷移率
按比例縮小理論
The Test Flow of IC Development
IC Testing Items
面向未來的IC設計方法
硬件描述語言
設計方法學
The silICon direct bonding (SDB)
硅片鍵合技術(shù)的分類
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