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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | DAP801 |
| 廠商： | DIOTEC SEMICONDUCTOR AG |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Small Signal Diode Arrays |
| 中文描述： | 0.1 A, 80 V, 8 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封裝： | 24 X 3.50 MM, 6.60 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-9 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/2頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 138K |
| 代理商： | DAP801 |
1
) Leads kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case
Anschludrhte in 3 mm Abstand von Gehuse auf Umgebungstemperatur gehalten
364
28.02.2002
DAN 801 / DAP 801 (200 mW)
Small Signal Diode Arrays
Dioden Stze mit Allzweckdioden
Nominal power dissipation
Nenn-Verlustleistung
200 mW
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
80 V
9 Pin-Plastic case
9 Pin-Kunststoffgehuse
24 x 3.5 x 6.6 [mm]
Weight approx. – Gewicht ca.
0.6 g
Dimensions / Mae in mm
Standard packaging: bulk
Standard Lieferform: lose im Karton
see page 22
s. Seite 22
"DAP": common anodes / gemeinsame Anoden
"DAN": common cathodes / gemeinsame Kathoden
Maximum ratings
Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
80
Surge peak reverse voltage
Stospitzensperrspannung
V
RSM
[V]
80
DAN 801
DAP 801
80
80
Max. average forward rectified current, R-load,
for one diode operation only
per diode for simultaneous operation
T
A
= 25 C
I
FAV
I
FAV
100 mA
1
)
25 mA
1
)
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last,
für eine einzelne Diode
pro Diode bei gleichzeitigem Betrieb
T
U
= 25 C
I
FAV
I
FAV
100 mA
1
)
25 mA
1
)
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stostrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
T
A
= 25 C
I
FSM
500 mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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