
Technische Information / Technical Information
D 659 S 10...14
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
S
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
thermal resitance, junction to case
Kühlflche / cooling surface
beidseitig / two-sided,
Θ
=180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode,
Θ
=180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode,
Θ
=180°sin
Kathode / cathode, DC
R
thJC
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,048
0,045
0,085
0,082
0,103
0,100
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
übergangs- Wrmewiderstand
thermal resitance, case to heatsink
Kühlflche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
R
thCK
max.
max.
0,005
0,010
°C/W
°C/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
T
vj max
150
°C
Betriebstemperatur
operating temperature
T
c op
-40...+150
°C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-40...+150
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
case, see appendix
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
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Durchmesser/diameter 30mm
Anprekraft
clamping force
F
6...14,5
kN
Gewicht
weight
G
typ.
270
g
Kriechstrecke
creepage distance
28
mm
Feuchteklasse
humidity classification
DIN 40040
C
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50Hz
5x9,81
m/s2
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehrigen Technischen Erluterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
SZ-M / 09.02.87
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