參數(shù)資料
型號： D45C1
廠商： MOSPEC SEMICONDUCTOR CORP.
英文描述： POWER TRANSISTORS(4A,30-80V,30W)
中文描述： 功率晶體管（4A條,30 - 80V的，功率30W）
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大小： 148K
代理商： D45C1
A
Boca Semiconductor Corp.
BSC
http://www.bocasemi.com
相關PDF資料
PDF描述
D45C10 POWER TRANSISTORS(4A,30-80V,30W)
EM61-0005C-V2 Advanced Synchronous Buck MOSFET Driver with 3V PWM Interface and Advanced Protection Features; Temperature Range: 0&degC to 70°C; Package: 8-SOIC
EV61-100-22-SERIES Peripheral IC
E1217X-I Watch Circuit
ECS-3963-666-B Crystal Oscillator
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
D45C10 制造商:Harris Corporation 功能描述:
D45C11 功能描述:兩極晶體管 - BJT Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
D45C11_10 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP Current Driver Transistor
D45C12 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 80V 30W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
D45C12G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 80V 30W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*