參數(shù)資料
型號: D2SB60A
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: 1.5 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
封裝: 2S, SIP-4
文件頁數(shù): 2/2頁
文件大?。?/td> 391K
代理商: D2SB60A
■特性図
CHARACTERISTIC DIAGRAMS
* Sine wave は 50Hz で測定しています。
50Hz sine wave is used for measurements.
*半導(dǎo)體製品の特性は一般的にバラツキを持っております。
 Typical は統(tǒng)計的な実力を表しています。
Semiconductor products generally have characterristic variation.
Typical is a statistical average of the device’s ability.
J534-1
61
D2SB60A
Thin S
I
P Bridge
相關(guān)PDF資料
PDF描述
D44C1 4 A, 30 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220
D44H10J69Z 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220
D44H5 10 A, 45 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
D44VM4-DR6274 8 A, 45 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
D4SBU20 4 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
D2SB60A(7000) 制造商:Shindengen Electric Mfg 功能描述:600V Bulk
D2SB60A-4000 功能描述:橋式整流器 VRM=600 IFSM=120 RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube
D2SB60A-7000 功能描述:橋式整流器 VRM=600 IFSM=120 RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube
D2SB60L 功能描述:橋式整流器 Bridge RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube
D2SB60L-4000 功能描述:橋式整流器 VRM=600 IFSM=120 RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube