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DMHT6016LFJ-13

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  • DMHT6016LFJ-13
    DMHT6016LFJ-13

    DMHT6016LFJ-13

  • 深圳市鵬展勝電子有限公司
    深圳市鵬展勝電子有限公司

    聯(lián)系人：林先生

    電話：135-3814-2003

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道佳和大廈A座2801

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • DIODES/美臺(tái)

  • V-DFN5045-12

  • 21+

  • -

  • 原裝正品，假一賠十！

  • DMHT6016LFJ-13
    DMHT6016LFJ-13

    DMHT6016LFJ-13

  • 深圳市科宏特電子有限公司
    深圳市科宏特電子有限公司

    聯(lián)系人：李瑞兵

    電話：18897698645

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路華強(qiáng)電子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • DIODES

  • 22+

  • -

  • 原裝正品

  • DMHT6016LFJ-13
    DMHT6016LFJ-13

    DMHT6016LFJ-13

  • 科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
    科創(chuàng)特電子（香港）有限公司

    聯(lián)系人：柯

    電話：0755-83014603

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號(hào)佳和大廈B座907

  • 3000

  • DIODES INC.

  • 主營(yíng)優(yōu)勢(shì)

  • 19+

  • -

  • 100%原裝正品★終端免費(fèi)供樣★

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共40條 
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DMHT6016LFJ-13 技術(shù)參數(shù)
  • DMHE001 功能描述:DSUB 9 METAL DIE CAST B/S 制造商:cinch connectivity solutions 系列:* 零件狀態(tài):有效 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMHA14R5V353M4ATA0 功能描述:SUPERCAPACITOR 制造商:murata electronics north america 系列:DMH 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):在售 電容:35mF 容差:±20% 電壓 - 額定:4.5V ESR（等效串聯(lián)電阻）:300 毫歐 @ 1kHz 不同溫度時(shí)的使用壽命:- 端接:SMD（SMT）凸片 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 引線間距:- 大小/尺寸:0.787" 長(zhǎng) x 0.787" 寬（20.00mm x 20.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.016"（0.40mm） 工作溫度:-40°C ~ 85°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 DMG8880LSS-13 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:11.6A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 11.6A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:27.6nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1289pF @ 15V 功率 - 最大值:1.43W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMG4712SSS-13 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，肖特基，金屬氧化物! FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:11.2A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:14 毫歐 @ 11.2A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:45.7nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2296pF @ 15V 功率 - 最大值:1.55W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMG4468LFG 功能描述:MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):無(wú)貨 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:7.62A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 11.6A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:18.85nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:867pF @ 10V 功率 - 最大值:990mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerUDFN 供應(yīng)商器件封裝:DFN3030-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMJ70H601SV3 DMJ70H900HJ3 DMJ7N70SK3-13 DMJT9435-13 DMKP075BG-180 DMKP125BG-180 DMKP187BG-180 DML1005LDS-7 DML1006LDS-7 DML1007LDS-7 DML1008LDS-7 DML1009LDS-13 DML1009LDS-7 DML10M8LDS-13 DML3006LFDS-7 DML3009LDC-7 DML-430A DML-430A-C
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