DMM1W10K-F

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

DMM1W10K-F
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
Cornell Dubilier Electron
標(biāo)準(zhǔn)封裝
16+
-
假一罰十，百分百原裝

1/1頁 40條/頁共3條
1

您是不是要找： DMM1W1K-F DMM1W1P5K-F DMM1W2P2K-F DMM1W3P3K-F DMM1W4P7K-F DMM1W6P8K-F DMM2P15K-F DMM2P1K DMM2P1K-F

DMM1W10K-F PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)

DMM1W10K-F PDF下載

功能描述
薄膜電容器 10uF 100Volts
RoHS
否
制造商
Cornell Dubilier
產(chǎn)品類型
電介質(zhì)
Polyester
電容
0.047 uF
容差
10 %
電壓額定值
100 V
系列
225P
工作溫度范圍
- 55 C to + 85 C
端接類型
Radial
引線間隔
9.5 mm

DMM1W10K-F 技術(shù)參數(shù)

DM-LX3-1 功能描述:Voltage (Voltmeter) LCD - Black Characters Display Panel Mount - Window 制造商:murata power solutions inc. 系列:DM 零件狀態(tài):過期類型:電壓（電壓表）測量范圍:±1.999VDC 顯示類型:LCD - 黑色字符每行字符數(shù):3.5 顯示字符 - ?高度:0.748"（19.00mm）輸出類型:- 電壓 - 電源:5VDC 面板開口尺寸:矩形 - 72.00mm x 29.00mm 安裝類型:面板安裝 - 窗口端子類型:連接器侵入防護(hù):- 特性:- 工作溫度:0°C ~ 50°C 重量:0.115 磅（52.16g）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMHE001 功能描述:DSUB 9 METAL DIE CAST B/S 制造商:cinch connectivity solutions 系列:* 零件狀態(tài):有效標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMHA14R5V353M4ATA0 功能描述:SUPERCAPACITOR 制造商:murata electronics north america 系列:DMH 包裝:托盤零件狀態(tài):在售電容:35mF 容差:±20% 電壓 - 額定:4.5V ESR（等效串聯(lián)電阻）:300 毫歐 @ 1kHz 不同溫度時的使用壽命:- 端接:SMD（SMT）凸片安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-SMD，扁平引線引線間距:- 大小/尺寸:0.787" 長 x 0.787" 寬（20.00mm x 20.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.016"（0.40mm）工作溫度:-40°C ~ 85°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 DMG8880LSS-13 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:11.6A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 11.6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:27.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1289pF @ 15V 功率 - 最大值:1.43W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMG4712SSS-13 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，肖特基，金屬氧化物! FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:11.2A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:14 毫歐 @ 11.2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:45.7nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2296pF @ 15V 功率 - 最大值:1.55W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMM2P22K-F DMM2P33K-F DMM2P47K-F DMM2P68K-F DMM2S68K-F DMM2W1K-F DMM2W1P5K-F DMM2W2P2K-F DMM2W3P3K-F DMM2W4P7K DMM2W4P7K-F DMM4P15K-F DMM4P1K-F DMM4P22K-F DMM4P33K-F DMM4P47K-F DMM4P68K-F DMM4S33K-F