DIA-1

配單專(zhuān)家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

DIA-1
深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
聯(lián)系人：銷(xiāo)售部經(jīng)理：馬先生
電話：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上步工業(yè)區(qū)8棟829/北京市海淀區(qū)中關(guān)村中銀街168-9號(hào)/香港辦事處:香港大理石
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
256
Cooper Bussmann
標(biāo)準(zhǔn)封裝
23+
-
真實(shí)的資源竭誠(chéng)服務(wù)您！

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功能描述
電路保護(hù)套件 ATC DIAGNOSTIC KIT
RoHS
否
制造商
Sola/Hevi-Duty
產(chǎn)品
Hardware
系列
類(lèi)型
Terminal Cover

DIA-1 技術(shù)參數(shù)

DI9956T 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8-SOIC 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3.7A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:80 毫歐 @ 2.2A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:27nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:320pF @ 10V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 DI9435T 功能描述:MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOP 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5.3A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:50 毫歐 @ 5.3A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:950pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:8-TSOP（0.130"，3.30mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 DI9430T 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOP 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5.3A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 5.3A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 25μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:38nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1430pF @ 10V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:8-SMD，鷗翼型供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 DI2220V301R-10 功能描述:300nH Unshielded Wirewound Inductor 8A 10 mOhm Max 2220 (5650 Metric) 制造商:laird-signal integrity products 系列:DI 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類(lèi)型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:300nH 容差:±10% 額定電流:8A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無(wú)屏蔽 DC 電阻（DCR）:10 毫歐最大不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測(cè)試:25MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:2220（5650 公制）大小/尺寸:0.220" 長(zhǎng) x 0.200" 寬（5.59mm x 5.08mm）高度 - 安裝（最大值）:0.152"（3.86mm）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DI2220V301R-00 功能描述:300nH Unshielded Wirewound Inductor 8A 10 mOhm Max Nonstandard 制造商:laird-signal integrity products 系列:DI 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) 類(lèi)型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:300nH 容差:±10% 額定電流:8A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無(wú)屏蔽 DC 電阻（DCR）:10 毫歐最大不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測(cè)試:25MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.220" 長(zhǎng) x 0.200" 寬（5.59mm x 5.08mm）高度 - 安裝（最大值）:0.142"（3.60mm）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DIAGB6 DIAMOND-E-12M DIAMOND-E-12M-PROMO DIAMOND-I-12M DIART110A DIART220A DIART24A DIART24D DIB01CB235A DIB01CD485A DIB01CM24100A DIBBC2314S21W DID-29AMMM-SL7A01 DID-29AMMM-SL7A02 DID-29AMMM-SL7A05 DID-29PFFP-SL8001 DID-29PFFS-SL8001 DIEBCC7018B