參數(shù)資料
型號： CZT2955PNP
廠商： Central Semiconductor Corp.
英文描述： 2.0W SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTOR
中文描述： 2.0W表面貼裝互補性的芯片功率晶體管
文件頁數(shù)： 1/2頁
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代理商： CZT2955PNP
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
SYMBOL
UNITS
Collector-Base Voltage
VCBO
VCER
VCEO
VEBO
IC
IB
PD
100
V
Collector-Emitter Voltage
70
V
Collector-Emitter Voltage
60
V
Emitter-Base Voltage
7.0
V
Collector Current
6.0
A
Base Current
3.0
A
Power Dissipation
2.0
W
Operating and Storage
Junction Temperature
TJ,Tstg
Θ
JA
-65 to +150
°C
Thermal Resistance
62.5
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
MAX
UNITS
ICEO
ICEV
IEBO
BVCER
BVCEO
* VCE(SAT)
* VBE(ON)
* hFE
* hFE
fT
VCE=30V
VCE=100V, VEB=1.5V
VEB=7.0V
IC=30mA, RBE=100
IC=30mA
IC=4.0A, IB=400mA
VCE=4.0V, IC=4.0A
VCE=4.0V, IC=4.0A
VCE=4.0V, IC=6.0A
VCE=10V, IC=500mA, f=1.0MHz
700
μA
1.0
mA
5.0
mA
70
V
60
V
1.1
V
1.5
V
20
70
5.0
2.5
MHz
* Pulsed, 2% D.C.
CZT2955 PNP
CZT3055 NPN
2.0W SURFACE MOUNT
COMPLEMENTARY SILICON
POWER TRANSISTOR
SOT-223 CASE
Central
Semiconductor Corp.
TM
R3 (17-June 2004)
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT2955
and CZT3055 types are surface mount epoxy
molded complementary silicon transistors
manufactured by the epitaxial base process,
designed for surface mounted power amplifier
applications up to 6.0 amps.
MARKING CODE: FULL PART NUMBER
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PDF描述
CZT3055 2.0W SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTOR
CZT3055NPN 2.0W SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTOR
CZT7090L SURFACE MOUNT LOW VCE(SAT) PNP SILICON POWER TRANSISTO
CZTA14 SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON TRANSISTORS
CZTA64 SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON TRANSISTORS
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參數(shù)描述
CZT2955-TR 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
CZT2955TR-LF 制造商:Central Semiconductor Corp 功能描述:
CZT3019 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR
CZT3019 TR 功能描述:兩極晶體管 - BJT Small Signal Transistor NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
CZT3019_10 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR
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