參數(shù)資料
型號： CYW256OXCT
廠商： SILICON LABORATORIES
元件分類： 時鐘及定時
英文描述： 256 SERIES, LOW SKEW CLOCK DRIVER, 12 TRUE OUTPUT(S), 0 INVERTED OUTPUT(S), PDSO28
封裝： 5.30 MM, LEAD FREE, SSOP-28
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大?。?/td> 102K
代理商： CYW256OXCT
W256
..........................Document #: 38-07256 Rev. *C Page 4 of 7
Maximum Ratings
Supply Voltage to Ground Potential..................–0.5 to +7.0V
DC Input Voltage (except BUF_IN)............ –0.5V to VDD+0.5
Storage Temperature .................................. –65°C to +150°C
Static Discharge Voltage............................................>2000V
(per MIL-STD-883, Method 3015)
Operating Conditions[2]
Parameter
Description
Min.
Typ.
Max.
Unit
VDD3.3
Supply Voltage
3.135
3.465
V
VDD2.5
Supply Voltage
2.375
2.625
V
TA
Operating Temperature (Ambient Temperature)
0
70
°C
COUT
Output Capacitance
6
pF
CIN
Input Capacitance
5
pF
Electrical Characteristics Over the Operating Range
Parameter
Description
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
VIL
Input LOW Voltage
For all pins except SMBus
0.8
V
VIH
Input HIGH Voltage
2.0
V
IIL
Input LOW Current
VIN = 0V
50
A
IIH
Input HIGH Current
VIN = VDD
50
A
IOH
Output HIGH Current
VDD = 2.375V
VOUT = 1V
–18
–32
mA
IOL
Output LOW Current
VDD = 2.375V
VOUT = 1.2V
26
35
mA
VOL
Output LOW Voltage[3]
IOL = 12 mA, VDD = 2.375V
0.6
V
VOH
Output HIGH Voltage[3]
IOH = –12 mA, VDD = 2.375V
1.7
V
IDD
Supply Current[3]
(DDR-Only mode)
Unloaded outputs, 133 MHz
400
mA
IDD
Supply Current
(DDR-Only mode)
Loaded outputs, 133 MHz
500
mA
IDDS
Supply Current
PWR_DWN# = 0
100
A
VOUT
Output Voltage Swing
See Test Circuity (Refer to
0.7
VDD + 0.6
V
VOC
Output Crossing Voltage
(VDD/2)
–0.1
VDD/2
(VDD/2)
+0.1
V
INDC
Input Clock Duty Cycle
48
52
%
Notes:
2. Multiple Supplies: The voltage on any input or I/O pin cannot exceed the power pin during power-up. Power supply sequencing is NOT required.
3. Parameter is guaranteed by design and characterization. Not 100% tested in production.
Switching Characteristics[4]
Parameter
Name
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
–
Operating Frequency
66
180
MHz
–
Duty Cycle[4,5] = t2 t1
Measured at 1.4V for 3.3V outputs
Measured at VDD/2 for 2.5V outputs.
INDC
–5%
INDC +5%
%
t3
SDRAM Rising Edge Rate[4]
Measured between 0.4V and 2.4V
1.0
2.50
V/ns
t4
SDRAM Falling Edge Rate[4]
Measured between 2.4V and 0.4V
1.0
2.50
V/ns
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PDF描述
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參數(shù)描述
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