| 型號: | CY7C1305BV25 |
| 廠商: | Cypress Semiconductor Corp. |
| 英文描述: | 18-Mbit Burst of 4 Pipelined SRAM with QDR Architecture(18Mbit,Burst of 4,QDR結(jié)構(gòu),流水線SRAM) |
| 中文描述: | 18兆位的4四年防務(wù)審查架構(gòu)(18Mbit,4突發(fā)流水線SRAM的突發(fā),國防評估報告結(jié)構(gòu),流水線的SRAM) |
| 文件頁數(shù): | 1/21頁 |
| 文件大小: | 884K |
| 代理商: | CY7C1305BV25 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| CY7C131-15NC | CAP 10UF 63V ELECT EB RADIAL |
| CY7C141-15NC | 1K x 8 Dual-Port Static Ram |
| CY7C1312AV18 | 18-Mb QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture(18-Mb QDR-II SRAM(2-Word Burst結(jié)構(gòu))) |
| CY7C1312BV18 | 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture(18-Mb QDR-II SRAM(2-Word Burst結(jié)構(gòu))) |
| CY7C1327F-100AC | 4-Mb (256K x 18) Pipelined Sync SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1305BV25-167BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 1Mx18 2.5V QDR 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1305BV25-167BZCT | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 1Mx18 2.5V QDR 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1305TC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1305TV25-167BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 NV靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 167 MHz 2.5V RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1305TV25-167BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |