參數(shù)資料
型號(hào): CTLM1074-M832D
廠商: CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 功率晶體管
中文描述: 1 A, 25 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: 3 x 2 mm, ROHS COMPLIANT, 8 PIN
文件頁數(shù): 2/2頁
文件大?。?/td> 236K
代理商: CTLM1074-M832D
Central
Semiconductor Corp.
TM
CTLM1074-M832D
MULTI DISCRETE MODULE
SURFACE MOUNT
LOW VCE (SAT) SILICON PNP TRANSISTOR
AND
LOW VF SILICON SCHOTTKY RECTIFIER
R1 (22-July 2008)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS Q1 (Continued):
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
VCE(SAT)
IC=200mA, IB=20mA
80
150
mV
VCE(SAT)
IC=500mA, IB=50mA
150
250
mV
VCE(SAT)
IC=800mA, IB=80mA
220
400
mV
VCE(SAT)
IC=1.0A, IB=100mA
275
450
mV
VBE(SAT)
IC=800mA, IB=80mA
1.1
V
VBE(ON)
VCE=1.0V, IC=10mA
0.9
V
hFE
VCE=1.0V, IC=10mA
100
hFE
VCE=1.0V, IC=100mA
100
300
hFE
VCE=1.0V, IC=500mA
100
hFE
VCE=1.0V, IC=1.0A
50
fT
VCE=10V, IC=50mA, f=100MHz
100
MHz
Cob
VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz
15
pF
ELECTRICAL CHARACTERISTICS D1: (TA=25°C)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
IR
VR= 5V
10
μA
IR
VR= 8V
20
μA
IR
VR= 15V
50
μA
BVR
IR= 100μA
40
V
VF
IF= 10mA
0.29
V
VF
IF= 100mA
0.36
V
VF
IF= 500mA
0.45
V
VF
IF= 1.0A
0.55
V
CJ
VR= 4.0V, f=1.0MHz
50
pF
TLM832D - MECHANICAL OUTLINE
Suggested mounting pad layout
for maximum power dissipation
(Dimensions in mm)
For standard mounting refer
to TLM832D Package Details
LEAD CODE:
1) BASE Q1
2) EMITTER Q1
3) ANODE D1
4) ANODE D1
5) CATHODE D1
6) CATHODE D1
7) COLLECTOR Q1
8) COLLECTOR Q1
MARKING CODE: CFD
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CTLM3474-M832D
CTLM3410-M832D
CTLM7410-M832D
CWA2490H
CWA4850H
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參數(shù)描述
CTLM1074-M832D_10 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:SURFACE MOUNT SILICON LOW VCE(SAT) PNP TRANSISTOR AND LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER
CTLM3410-M832D 功能描述:兩極晶體管 - BJT SMD Small Signal Transistor Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
CTLM3474-M832D 功能描述:兩極晶體管 - BJT Small Sig Transistor Dual NPN & PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
CTLM7110-M832D 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:SURFACE MOUNT N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET AND LOW VF SILICON SCHOTTKY RECTIFIER
CTLM7410-M832D 功能描述:兩極晶體管 - BJT SMD Small Signal Transistor Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2