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參數(shù)資料
| 型號： | CSD669AC |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管| npn型| 120伏特五（巴西）總裁| 1.5AI（丙）|至126 |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大小： | 39K |
| 代理商： | CSD669AC |
Continental Device India Limited
Data Sheet
Page 2 of 3
649
669
649A
669A
Emitter-base voltage (open collector)
Collector current
Collector current (peak)
Total power dissipation up to T
A
= 25 C
Total power dissipation up to T
C
= 25 C
Junction temperature
Storage temperature
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
P
C
T
j
T
stg
max.
max.
max.
max.
max.
max.
5.0
1.5
3.0
1.0
20
150
V
A
mA
W
W
àC
àC
65 to +150
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25 C unless otherwise specified
649
669
649A
669A
Collector cutoff current
I
E
= 0; V
CB
= 160 V
Breakdown voltages
I
C
= 10 mA; I
B
= 0
I
C
= 1 mA; I
E
= 0
I
E
= 1 mA; I
C
= 0
Saturation voltage
I
C
= 500 mA; I
B
= 50 mA
Base-emitter voltage
I
C
= 150 mA; V
CE
= 5 V
D.C. current gain
I
C
= 150 mA; V
CE
= 5 V
I
CBO
max.
10
A
V
CEO
V
CBO
V
EBO
min.
min.
min.
120
180
160 V
180 V
5.0
V
V
CEsat
*
max.
1.0
V
V
BE(on)
*
max.
1.5
V
h
FE
*
(1)
min.
max.
60
320
60
200
I
C
= 500 mA; V
CE
= 5 V
Transition frequency
I
C
= 150 mA; V
CE
= 5 V
Output capacitance
V
CB
= 10 V; I
E
= 0; f = 1 MHz
h
FE
min.
30
f
T
typ.
140
MHz
PNP
NPN
C
ob
C
ob
typ.
typ.
27
14
pF
pF
*
- 320
(1)
h
FE
classification:
Non-A
B 60 - 120, C 100 - 200, D 160
A
B 60 - 120, C 100 - 200
* Pulse test
CSB649, CSB649A
CSD669, CSD669A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CSB649D | TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126 |
| CSB649C | TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126 |
| CSB649B | TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126 |
| CSB649AC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 160V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126 |
| CSB649 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CSD669B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126 |
| CSD669C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126 |
| CSD669D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126 |
| CSD68801W1015-R | 制造商:Texas Instruments 功能描述:WLP 1X1.5 SINGLE P, 20V, 62M, 1.25NC |
| CSD68802W10 | 制造商:Texas Instruments 功能描述:WLP 1X1 SINGLE P, 12V, 66M, 1.35NC |
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