參數(shù)資料
型號(hào)： CSD1833E
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220AB
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 80V的五（巴西）總裁| 7A條一（c）| TO - 220AB現(xiàn)有
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 89K
代理商： CSD1833E
TO-220 Plastic Package
TO-220 Tube Packing
B
1 2
3
PIN CONFIGURATION
1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
1
2
3
4
J
M
G
D
H
A
O
O
K
N
L
F
E
C
DIM
MIN.
MAX.
A
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
14.42
9.63
3.56
—
1.15
3.75
2.29
2.54
—
12.70
2.80
2.03
—
16.51
10.67
4.83
0.90
1.40
3.88
2.79
3.43
0.56
14.73
4.07
2.92
31.24
DEG 7
DEVICE NAME
Sr.
QTY.
Label
536.00
±1.5
50 Pcs./Tube
6.87
3
13.74
End Pin
Tube Thickness
AMMO PACK SIZE
20 Tubes/Ammo Pack
1000 pcs./Ammo Pack
D
Qy
Label
53800
750
9
Continental Device India Limited
Data Sheet
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
CSD1833F TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220AB
CSD200 TRANSISTOR | BJT | NPN | 700V V(BR)CEO | 2.5A I(C) | TO-3
BDY38 Metal Oxide Varistor (MOV); Voltage Rating AC, Vrms:35Vrms; Voltage Rating DC, Vdc:45VDC; Peak Surge Current (8/20uS), Itm:2000A; Clamping Voltage 8/20us Max :110V; Peak Energy (10/1000uS):30J; Capacitance, Cd:10000pF
BU608 TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-3
CDN055 TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CSD1833F 制造商:CDIL 制造商全稱:Continental Device India Limited 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR
CSD18501Q5A 功能描述:MOSFET 40V N-Channel NexFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
CSD18502KCS 功能描述:MOSFET 40-V, N-Chanel NxFT Pwr MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
CSD18502Q5B 功能描述:MOSFET 40-V N-Ch NexFET Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
CSD18503KCS 功能描述:MOSFET 40V N-Ch NexFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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